#노광기술(Photo-Lithography)은 고성능ㆍ저전력 반도체를 제조하기 위해 광(光)을 이용해 기판에 미세한 회로 패턴을 그리는 핵심 기술이다. 광의 파장이 짧을수록, 반도체 회로를 더 미세하기 그릴 수 있는데, 이는 0.7미리(mm) 샤프보다는 0.3미리 샤프로 쓸 때 보다 세밀한 글쓰기가 가능한 것과 같은 원리다. 예를 들어, 반도체 회로의 선폭을 반으로 줄이면 단위 소자의 면적은 1/4로 줄게 되어 동일 면적에서 4배 많은 소자를 제조할 수 있으며 전기 배선의 길이도 줄게 되므로, 더 낮은 소비전력의 고성능ㆍ저전력 반도체를 생산할 수 있다.

칼짜이스(獨), 삼성전자 등 6대 글로벌 기업… 전체 출원의 59%

10나노 이하 초미세 반도체 회로 패턴을 그리는 데 필수적인 EUV(Extreme Ultra-Violet) 노광기술 관련 특허가 ’19년부터 내국인의 출원이 외국인 출원 건수를 앞서게 되면서 국내 기술이 성장기에 접어들고 있는 것으로 분석됐다.

EUV 노광기술 출원 동향(’11 ~ ’20년) EUV 노광은 CPC 분류 코드 H01L 21/027, G03F 및 그 서브그룹에 속하는 기술이다.

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