D램(DRAM)과 플래시 메모리의 장점만을 가지는 스토리지 클래스 메모리(Storage Class Memory) 관련 특허 출원이 급증하고 있다. 스토리지 클래스 메모리를 활용하면 인공지능, 빅데이터, 사물인터넷 등의 상용화와 함께 폭증하는 데이터트래픽을 더욱 빠르고 효율적으로 처리할 수 있다.

특허청에 따르면, 최근 5년간(‘14 ~ ’18) 스토리지 클래스 메모리 관련 출원은 연평균 46건으로, 그 이전 5년간(‘09 ~ ’13) 연평균 출원건수인 11건에 비하여 4배 이상 늘었다.

스토리지 클래스 메모리(Storage Class Memory) : 플래시 메모리처럼 비휘발성 속성을 제공하는 동시에 D램처럼 바이트 단위로 랜덤 접근을 지원하는 메모리다. 그동안 PC, 스마트폰 등에서 사용되는 메모리는 주기억장치인 D램과 보조기억장치인 플래시 메모리로 엄격히 구분되어 왔다. D램은 데이터 처리 속도는 빠르지만 전원공급이 중단될 때 데이터가 사라진다는 단점이 있는 반면, 플래시 메모리는 D램과 반대의 특성을 가지고 있다. 스토리지 클래스 메모리는 데이터 처리 속도가 D램과 비슷하면서도, 전원 공급이 중단돼도 데이터가 사라지지 않는 우수한 특성이 있어, 시스템 속도를 10배 이상 빠르게 개선할 수 있다.

스토리지 클래스 메모리 연도별 출원 동향
스토리지 클래스 메모리 세부기술별 출원 동향(중복 포함)

세부 기술별 특허출원 동향을 살펴보면, 스토리지 클래스 메모리를 주기억장치로 사용하는 기술(58%)이 가장 많고, 스토리지 클래스 메모리를 보조기억장치로 사용하는 기술(19%), 주기억장치와 보조기억장치의 처리 속도 차이에 따른 병목 현상을 개선하기 위해 스토리지 클래스 메모리를 캐시 메모리로 사용하는 기술(17%) 순으로 조사됐다.

스토리지 클래스 메모리 주요 출원인 출원 동향(최근 10년간)

최근 10년간 출원인별 동향을 살펴보면, 메모리 반도체 기술 특성상 기업 및 대학·연구소가 대다수(99%)를 차지하고 있는데, 주요 출원인으로는 삼성전자(29%), SK 하이닉스(19%), 인텔(16%), 마이크론(10%) 순으로 조사됐다.

삼성전자와 SK 하이닉스는 기존 D램 분야에서 축적한 기술적 우위를 바탕으로 스토리지 클래스 메모리를 주기억장치로 활용하는 방안에 집중하는 것으로 분석된다. 이에 반해 미국 인텔은 마이크론과 공동 개발한 비휘발성 메모리 기술인 ‘3DXpoint’를 활용해, 주기억장치와 보조기억장치의 데이터 처리 속도 차이에 따른 병목 현상을 개선하는 연구에 중점을 두고 있다.

3DXPoint : 인텔과 마이크론이 2015년 7월에 발표한 비휘발성 메모리 기술로 저항을 사용하고 비트 주소 할당이 가능하다.

특허청 이동영 전자부품심사과장은, “D램 및 플래시 메모리 시장 점유율 세계 1위인 우리나라에게는 스토리지 클래스 메모리 등장이 위기일 수 있다.”면서 “이러한 위기를 기회로 바꾸기 위해서는 스토리지 클래스 메모리에 대한 관련 기술 동향 분석 및 연구개발이 필수적”이라고 말했다.

박경일     kips1214@naver.com